【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射源相关申请的交叉引用本申请要求于2017年9月20日提交的欧洲申请17192117.4的优先权,该欧洲申请通过引用全文并入本文。
本专利技术涉及一种用于与光刻设备一起使用的辐射源。
技术介绍
光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将来自图案形成装置(例如,掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射波长决定了能够在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(具有在4-20nm范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可用于在衬底上形成比常规光刻设备(所述常规光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。可以通过使用布置成产生产生EUV的等离子体的辐射源来产生EUV辐射。产生EUV的等离子体可以例如通过激励辐射源内的燃料产生。
技术实现思路
本专利技术的一方面涉及一种辐射源,包括:发射器,配置成朝向等离子体形成区发射燃料目标;激光系统,配置成用激光束撞击所述燃料目标以在所述等离子体形成区处产生等离子体;收集器,布置成收集由所述等离子体发射的辐射;成像系统,配置成捕获所述燃料目标的图像;在所述收集器处并在所述成像系统的视场内的标识;和控制器,配置成接收表示所述图像的数据和依赖于所述数据控制所述辐射源的操作。术语“收集器”在这里与表述“辐射收集器”互换地使用。术语“发射器”在这里与表述“燃料发射器”互换地使用。此外,成像系统可以包括 ...
【技术保护点】
1.一种辐射源,包括:/n发射器,配置成朝向等离子体形成区发射燃料目标;/n激光系统,配置成用激光束撞击所述燃料目标以在所述等离子体形成区处产生等离子体;/n收集器,布置成收集由所述等离子体发射的辐射;/n成像系统,配置成捕获所述燃料目标的图像;/n在所述收集器处并在所述成像系统的视场内的标识;以及/n控制器,配置成:/n接收表示所述图像的数据;和/n依赖于所述数据控制所述辐射源的操作。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170920 EP 17192117.41.一种辐射源,包括:
发射器,配置成朝向等离子体形成区发射燃料目标;
激光系统,配置成用激光束撞击所述燃料目标以在所述等离子体形成区处产生等离子体;
收集器,布置成收集由所述等离子体发射的辐射;
成像系统,配置成捕获所述燃料目标的图像;
在所述收集器处并在所述成像系统的视场内的标识;以及
控制器,配置成:
接收表示所述图像的数据;和
依赖于所述数据控制所述辐射源的操作。
2.根据权利要求1所述的辐射源,包括在所述收集器处并在所述成像系统的视场内的第二标识。
3.根据权利要求1所述的辐射源,其中:
所述成像系统包括第一成像装置、第二成像装置、分束系统和背光源;
所述背光源配置成用照射束照射所述燃料目标和所述标识;
所述分束系统配置成:
接收受所述燃料目标影响的所述照射束的第一部分;
接收受所述标识影响的所述照射束的第二部分;
将所述第一部分引导至所述第一成像装置;以及
将所述第二部分引导至所述第二成像装置。
4.根据权利要求3所述的辐射源,其中:
所述辐射源包括在所述收集器处并在所述成像系统的视场内的第二标识;
所述成像系统包括第三成像装置;
所述背光源配置成用所述照射束照射所述第二标识;
所述分束系统配置成:
接收受所述第二标识影响的所述照射束的第三部分;和
将所述第三部分引导至所述第三成像装置。
5.根据权利要求1或3所述的辐射源,包括:
另一成像系统,配置成捕获所述燃料目标的另一图像;和
在所述收集器处并在所述另一成像系统的另一视场内的另一标识;
其中:
所述成像系统配置成从预定视角捕获所述燃料目标的图像;
所述另一成像系统配置成从不同于所述预定视角的另一预定视角捕获所述燃料目标的另一图像;
所述控制器配置成:
接收表示所述另一图像的另一数据;和
依赖于所述另一数据控制所述辐射源的操作。
6.根据权利要求5所述的辐射源,包括在所述收集器处并在所述另一成像系统的另一视场内的另一第二标识。
7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的辐射源,其中所述控制器配置成处理所述数据以确定所述燃料目标相对于所述收集器的位置。
8.根据权利要求7所述的辐射源,其中所述控制器配置成控制以下中的至少一个:所述燃料目标的轨迹;所述激光束的位置;所述激光束的方向;所述收集器的位置...
【专利技术属性】
技术研发人员:R·L·唐克,HK·尼恩惠斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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